推广 热搜: 行业  设备  机械  教师  系统    经纪    参数  蒸汽 

国产SiC-MOSFET碳化硅功率器件

点击图片查看原图
 
单价: 面议
起订:
供货总量:
发货期限: 自买家付款之日起 3 天内发货
所在地: 陕西 西安市
有效期至: 长期有效
最后更新: 2024-05-20 23:41
浏览次数: 5
询价
 
公司基本资料信息
详细说明
 倾佳电子(Changer Tech)-专业汽车连接器及功率半导体(IGBT单管,IGBT模块,碳化硅SiC-MOSFET,氮化镓GaN,驱动IC)分销商,聚焦新能源、交通电动化、数字化转型三大方向,致力于服务中国工业电源,电力电子装备及新能源汽车产业链。相较传统汽车,新能源汽车在电驱动单元、电气设备的数量上都有较大的增加,内部动力电流及信息电流错综复杂,特别是高电流、高电压的电驱动系统对连接器的可靠性、体积和电气性能提出更高的要求,这意味着新能源汽车对连接器产品需求量及质量要求都将大幅提升。在新能源汽车中,高压连接器是极其重要的元部件,整车、充电设施上均有应用。整车上高压连接器主要应用场景有:DC、水暖PTC充电机、风暖PTC、直流充电口、动力电机、高压线束、维修开关、逆变器、动力电池、高压箱、电动空调、交流充电口等。在电动汽车中,碳化硅功率器件的应用主要为两个方向,一个用于电机驱动逆变器(电机控制器),另一个用于车载电源系统,主要包括:电源转换系统(车载DC/DC)、车载充电系统(OBC)、车载空调系统(PTC和空压机)等方面。碳中和、智能化引领人类社会进入生态文明发展时代,科技创新为能源、交通、信息产业打造最强的发展动能。科技创新融合数字技术和电力电子技术,为新型电力系统能源基础设施、新型电动出行能源基础设施、新型数字产业能源基础设施等‘三新能源基础设施’,引领产业高质量发展。”
 
IGBT芯片技术不断发展,但是从一代芯片到下一代芯片获得的改进幅度越来越小。这表明IGBT每一代新芯片都越来越接近材料本身的物理极限。SiC MOSFET宽禁带半导体提供了实现半导体总功率损耗的显著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低开关损耗,从而提高开关频率。进一步的,可以优化滤波器组件,相应的损耗会下降,从而全面减少系统损耗。通过采用低电感SiC MOSFET功率模块,与同样封装的Si IGBT模块相比,功率损耗可以降低约70%左右,可以将开关频率提5倍(实现显著的滤波器优化),同时保持最高结温低于最大规定值。
 
为了保持电力电子系统竞争优势,同时也为了使最终用户获得经济效益,一定程度的效率和紧凑性成为每一种电力电子应用功率转换应用的优势所在。随着IGBT技术到达发展瓶颈,加上SiC MOSFET绝对成本持续下降,使用SiC MOSFET替代升级IGBT已经成为各类型电力电子应用的主流趋势。
 
安森美碳化硅MOSFET国产替代 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
NXH003P120M3F2PTHG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
NXH003P120M3F2PTNG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
NXH004P120M3F2PTHG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
NXH004P120M3F2PTNG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
NXH006P120M3F2PTHG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
NXH006P120MNF2PTG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
NXH007F120M3F2PTHG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
NXH008P120M3F1PTG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
NXH008T120M3F2PTHG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
NXH010P120M3F1PTG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
NXH010P120MNF1PG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
NXH010P120MNF1PNG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
NXH010P120MNF1PTNG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
NXH010P120MNF1PTG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
NXH010P90MNF1PG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
NXH010P90MNF1PTG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
NXH011F120M3F2PTHG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
NXH011T120M3F2PTHG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
NXH015F120M3F1PTG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
NXH015P120M3F1PTG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
NXH020F120MNF1PG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
NXH020F120MNF1PTG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
NXH020P120MNF1PTG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
NXH020P120MNF1PG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
NXH020U90MNF2PTG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
NXH030F120M3F1PTG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
NXH030P120M3F1PTG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
NXH040F120MNF1PTG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
NXH040F120MNF1PG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
NXH040P120MNF1PTG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
NXH040P120MNF1PG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
NXH40B120MNQ0SNG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
NXH40B120MNQ1SNG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
NXH80B120MNQ0SNG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
NTBG014N120M3P 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
NTBG022N120M3S 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
NTBG030N120M3S 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
NTBG040N120M3S 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
NTBG070N120M3S 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
NTCR013N120M3S 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
NTH4L013N120M3S 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
NTH4L014N120M3P 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
NTH4L022N120M3S 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
NTH4L030N120M3S 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
NTH4L040N120M3S 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
NTH4L070N120M3S 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
NTHL022N120M3S 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
NTHL030N120M3S 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
NTHL040N120M3S 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
ST碳化硅MOSFET国产替代 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT011H75G3AG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT012H90G3AG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT012W90G3AG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT015W120G3-4AG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT018H65G3-7 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT018H65G3AG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT018W65G3-4AG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT018W65G3AG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT020H120G3AG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT020HU120G3AG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT020W120G3-4AG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT025H120G3AG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT025W120G3-4 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT025W120G3-4AG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT025W120G3AG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT027H65G3AG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT027W65G3-4AG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT040H120G3-7 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT040H120G3AG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT040H65G3-7 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT040H65G3AG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT040H65G3SAG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT040HU65G3AG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT040TO65G3 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT040W120G3 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT040W120G3-4 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT040W120G3-4AG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT040W120G3AG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT040W65G3-4 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT040W65G3-4AG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT055H65G3-7 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT055H65G3AG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT055HU65G3AG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT055W65G3-4AG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT060HU75G3AG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT070H120G3-7 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT070H120G3AG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT070HU120G3AG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT070W120G3-4 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT070W120G3-4AG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT070W120G3AG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT1000N170 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT1000N170AG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT10N120 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT10N120AG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT20N120 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT20N120AG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT20N120H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT20N170AG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT30N120 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT30N120H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT50N120 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCTH100N120G2-AG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCTH100N65G2-7AG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCTH35N65G2V-7 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCTH35N65G2V-7AG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCTH40N120G2V-7 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCTH40N120G2V7AG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCTH60N120G2-7 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCTH70N120G2V-7 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCTH90N65G2V-7 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCTHC250N120G3AG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCTHS250N120G3AG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCTHS250N65G2G 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCTHS250N65G3 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCTL35N65G2V 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCTL90N65G2V 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCTW100N120G2AG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCTW100N65G2AG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCTW35N65G2V 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCTW35N65G2VAG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCTW40N120G2V 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCTW40N120G2VAG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCTW60N120G2 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCTW60N120G2AG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCTW70N120G2V 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCTW90N65G2V 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCTWA20N120 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCTWA30N120 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCTWA35N65G2V 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCTWA35N65G2V-4 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCTWA40N120G2AG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCTWA40N120G2V 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCTWA40N120G2V-4 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCTWA40N12G24AG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCTWA50N120 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCTWA60N120G2-4 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCTWA60N120G2AG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCTWA60N12G2-4AG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCTWA70N120G2V 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCTWA70N120G2V-4 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCTWA90N65G2V 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCTWA90N65G2V-4 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCT014HU65G3AG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCTHS200N120G3AG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
SCTHS300N75G3AG 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
英飞凌碳化硅MOSFET国产替代 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
FS33MR12W1M1H_B70 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
FF3MR20KM1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
F3L8MR12W2M1HP_B11 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
FS03MR12A6MA1LB 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
FS33MR12W1M1H_B11 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
F4-17MR12W1M1H_B76 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
FF4MR20KM1HP 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
F4-11MR12W2M1H_B70 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
FS28MR12W1M1H_B11 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
F4-17MR12W1M1HP_B76 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
DF4-19MR20W3M1HF_B11 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
DF16MR12W1M1HF_B67 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
DF17MR12W1M1HF_B68 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
FS55MR12W1M1H_B11 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
FF8MR12W1M1H_B11 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
FF55MR12W1M1H_B70 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
FF11MR12W2M1HP_B11 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
FF4MR12W2M1HP_B11 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
FF6MR12KM1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
FF2MR12W3M1H_B11 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
DF8MR12W1M1HF_B67 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
FS05MR12A6MA1B 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
FF17MR12W1M1HP_B11 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
FF6MR12KM1HP 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
FS13MR12W2M1HP_B11 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
FF6MR12W2M1HP_B11 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
FS03MR12A6MA1B 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
FF4MR12W2M1H_B70 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
FF33MR12W1M1H_B11 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
FF1MR12KM1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
FF08MR12W1MA1_B11A 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
FF4MR20KM1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
FF17MR12W1M1H_B11 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
FF33MR12W1M1HP_B11 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
FF11MR12W2M1H_B70 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
F3L11MR12W2M1_B74 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
FF2MR12KM1HP 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
FF17MR12W1M1H_B70 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
F4-11MR12W2M1HP_B76 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
FF2MR12KM1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
FF55MR12W1M1H_B11 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
FF1MR12KM1HP 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
FF3MR20KM1HP 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
FS13MR12W2M1H_C55 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
DF14MR12W1M1HF_B67 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
DF11MR12W1M1HF_B67 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
F3L11MR12W2M1HP_B19 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
FS13MR12W2M1H_B70 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
F4-33MR12W1M1H_B76 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
FF6MR12W2M1H_B11 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
F4-8MR12W2M1H_B70 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
FF4MR12W2M1H_B11 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
FF8MR12W1M1H_B70 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
FF6MR12W2M1H_B70 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
F4-8MR12W2M1HP_B76 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
FF6MR12KM1P 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
FF6MR12KM1 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
F4-11MR12W2M1_B76 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMWH170R650M1 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMWH170R450M1 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMWH170R1K0M1 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMZHN120R160M1T 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMZH120R160M1T 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMZH120R120M1T 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMZHN120R120M1T 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMZHN120R080M1T 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMZH120R080M1T 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMZHN120R060M1T 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMZH120R060M1T 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMZHN120R040M1T 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMZHN120R030M1T 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMZH120R020M1T 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMZHN120R020M1T 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMZH120R010M1T 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMZHN120R010M1T 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMZA75R140M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMZA75R140M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMBG75R090M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMDQ75R090M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMZA75R090M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMDQ75R090M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMZA75R090M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMDQ75R060M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMZA75R060M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMZA75R060M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMDQ75R060M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMBG75R060M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMZA75R040M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMZA75R040M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMDQ75R027M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMBG75R027M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMZA75R027M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMZA75R027M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMDQ75R027M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMZA75R020M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMBG75R020M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMDQ75R020M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMZA75R020M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMZA75R016M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMZA75R016M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMBG65R050M2H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMW65R050M2H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMZA65R050M2H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMZA65R040M2H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMBG65R040M2H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMW65R040M2H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMW65R020M2H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMZA65R020M2H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMBG65R020M2H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMBG65R015M2H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMZA65R015M2H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMW65R015M2H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMBG65R007M2H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMBG40R011M2H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMBG40R045M2H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMT40R011M2H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMBG40R036M2H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMT40R025M2H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMT40R015M2H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMT40R036M2H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMT40R045M2H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMBG40R025M2H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMBG40R015M2H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMYH200R100M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMYH200R075M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMYH200R050M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMYH200R024M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMYH200R012M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMBF170R1K0M1 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMBF170R650M1 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMBF170R450M1 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMBG120R350M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMW120R350M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMZ120R350M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMBG120R234M2H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMBG120R220M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMW120R220M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMZ120R220M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMBG120R181M2H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMBG120R160M1 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMZ120R140M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMBG120R140M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMW120R140M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMBG120R120M1 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMBG120R116M2H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMBG120R090M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMW120R090M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMZ120R090M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMBG120R080M1 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMW120R080M1 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMBG120R078M2H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMW120R060M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMBG120R060M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMBG120R060M1 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMW120R060M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMZ120R060M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMBG120R053M2H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMW120R045M1 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMBG120R045M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMZ120R045M1 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMW120R045M1 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMBG120R040M1 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMW120R040M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMZH120R040M1T 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMZA120R040M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMBG120R040M2H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMW120R035M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMBG120R030M1 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMW120R030M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMZH120R030M1T 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMZA120R030M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMBG120R030M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMZ120R030M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMBG120R026M2H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMBG120R022M2H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMZA120R020M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMW120R020M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMBG120R020M1 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMBG120R017M2H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMZA120R014M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMW120R014M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMBG120R012M2H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMBG120R010M1 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMBG120R008M2H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMZA120R007M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMW120R007M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMBG75R140M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMDQ75R140M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMDQ75R140M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMBG75R040M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMDQ75R040M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMDQ75R040M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMDQ75R016M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMBG75R016M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMDQ75R016M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMDQ75R008M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
AIMDQ75R008M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMBG65R260M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMT65R260M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMBG65R163M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMT65R163M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMW65R107M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMBG65R107M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMT65R107M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMZA65R107M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMW65R083M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMT65R083M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMBG65R083M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMZA65R083M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMW65R072M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMBG65R072M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMZA65R072M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMT65R072M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMT65R057M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMZA65R057M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMBG65R057M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMW65R057M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMBG65R048M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMZA65R048M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMT65R048M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMW65R048M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMBG65R039M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMW65R039M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMZA65R039M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMT65R039M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMT65R030M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMZA65R030M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMW65R030M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMBG65R030M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMW65R027M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMZA65R027M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMBG65R022M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
IMT65R022M1H 倾佳电子致力于SiC MOSFET国产化推进
 
Changer Tech 倾佳电子有限公司
Sunsanna Yang 杨茜
手机:13266663313(微信同号)
邮箱:sunsanna@changer-tech.com
 
国产SiC碳化硅MOSFET功率器件可靠性及一致性如何确保?
电力电子系统研发制造商一般需要碳化硅MOSFET功率器件供应商提供可靠性测试报告的原始数据和器件封装的FT数据。
SiC碳化硅MOSFET可靠性报告原始数据主要来自以下可靠性测试环节的测试前后的数据对比,通过对齐可靠性报告原始数据测试前后漂移量的对比,从而反映器件的可靠性控制标准及真实的可靠性裕量。
FT数据来自碳化硅MOSFET功率器件FT测试(Final Test,也称为FT)是对已制造完成的碳化硅MOSFET功率器件进行结构及电气功能确认,以保证碳化硅MOSFET功率器件符合系统的需求。
通过分析碳化硅MOSFET功率器件FT数据的关键数据(比如V(BR)DSS,VGS(th),RDS(on),
IDSS)的正态分布,可以定性碳化硅MOSFET功率器件材料及制程的稳定性,这些数据的定性对电力电子系统设计及大批量制造的稳定性也非常关键。
 
基本™(BASiC Semiconductor)第二代SiC碳化硅MOSFET两大主要特色:
 
1.出类拔萃的可靠性:相对竞品较为充足的设计余量来确保大规模制造时的器件可靠性。
基本™(BASiC Semiconductor)第二代SiC碳化硅MOSFET 1200V系列击穿电压BV值实测在1700V左右,高于市面主流竞品,击穿电压BV设计余量可以抵御碳化硅衬底外延材料及晶圆流片制程的摆动,能够确保大批量制造时的器件可靠性,这是基本™(BASiC Semiconductor)第二代SiC碳化硅MOSFET布袋除尘器关键的品质. 基本™(BASiC Semiconductor)第二代SiC碳化硅MOSFET雪崩耐量裕量相对较高,也增强了在电力电子系统应用中的可靠性。
 
2.可圈可点的器件性能:同规格较小的Crss带来出色的开关性能。
基本™(BASiC Semiconductor)第二代SiC碳化硅MOSFET反向传输电容Crss 在市面主流竞品中是比较小的,带来关断损耗Eoff也是市面主流产品中非常出色的,优于部分海外竞品,特别适用于LLC应用.
 
Basic™ (BASiC Semiconductor) second generation SiC silicon carbide MOSFET has two main features:
1. Outstanding reliability: Compared with competing products, there is sufficient design margin to ensure device reliability during mass manufacturing.
The breakdown voltage BV value of BASiC Semiconductor's second-generation SiC silicon carbide MOSFET 1200V series is measured to be around 1700V, which is higher than mainstream competing products on the market. The breakdown voltage BV design margin can withstand silicon carbide substrate epitaxial materials and wafers. The swing of the tape-out process can ensure device reliability during mass manufacturing, which is the most critical quality of BASiC Semiconductor’s second-generation SiC silicon carbide MOSFET. BASiC Semiconductor’s second-generation SiC silicon carbide MOSFET The relatively high avalanche tolerance margin also enhances reliability in power electronic system applications.
2. Remarkable device performance: Smaller Crss with the same specifications brings excellent switching performance.
BASiC Semiconductor's second-generation SiC silicon carbide MOSFET reverse transmission capacitor Crss is relatively small among mainstream competing products on the market, and its turn-off loss Eoff is also very good among mainstream products on the market, better than some overseas competing products. , especially suitable for LLC applications, typical applications such as charging pile power module downstream DC-DC applications.
 
Ciss:输入电容(Ciss=Cgd+Cgs) ⇒栅极-漏极和栅极-源极电容之和:它影响延迟时间;Ciss越大,延迟时间越长。基本™(BASiC Semiconductor)第二代SiC碳化硅MOSFET 优于主流竞品。
Crss:反向传输电容(Crss=Cgd) ⇒栅极-漏极电容:Crss越小,漏极电流上升特性越好,这有利于MOSFET的损耗,在开关过程中对切换时间起决定作用,高速驱动需要低Crss。
Coss:输出电容(Coss=Cgd+Cds)⇒栅极-漏极和漏极-源极电容之和:它影响关断特性和轻载时的损耗。如果Coss较大,关断dv/dt减小,这有利于噪声。但轻载时的损耗增加。
 
倾佳电子(Changer Tech)致力于国产碳化硅(SiC)MOSFET功率器件在电力电子市场的推广!Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!
 
 
倾佳电子(Changer Tech)专业分销的基本™第二代碳化硅SiC MOSFET主要有B2M160120H,B2M160120Z,B2M160120R,B2M080120H,B2M080120Z,B2M080120R,B2M018120H,B2M018120Z,B2M020120Y,B2M065120H,B2M065120Z,B2M065120R,B2M040120H,B2M040120Z,B2M040120R,B2M032120Y,B2M018120Z。适用大功率电力电子装置的SiC MOSFET模块,半桥SiC MOSFET模块,ANPC三电平碳化硅MOSFET模块,T型三电平模块,MPPT BOOST SiC MOSFET模块。
B2M032120Y国产替代英飞凌IMZA120R030M1H,安森美NTH4L030N120M3S以及C3M0032120K。
B2M040120Z国产替代英飞凌IMZA120R040M1H,安森美NTH4L040N120M3S,NTH4L040N120SC1以及C3M0040120K,意法SCT040W120G3-4AG。
B2M020120Y国产替代英飞凌IMZA120R020M1H,安森美NTH4L020N120SC1,NTH4L022N120M3S以及C3M0021120K,意法SCT015W120G3-4AG。
B2M1000170R国产代替英飞凌IMBF170R1K0M1,安森美NTBG1000N170M1以及C2M1000170J。
B2M065120H国产代替安森美NTHL070N120M3S。
B2M065120Z国产代替英飞凌IMZ120R060M1H,安森美NVH4L070N120M3S,C3M0075120K-A,意法SCT070W120G3-4AG。
B2M160120Z国产代替英飞凌AIMZHN120R160M1T,AIMZH120R160M1T
B2M080120Z国产代替英飞凌AIMZHN120R080M1T,AIMZH120R080M1T
B2M080120R国产代替英飞凌IMBG120R078M2H
B2M040120Z国产替代英飞凌AIMZHN120R040M1T,AIMZH120R040M1T
B2M040120R国产替代英飞凌IMBG120R040M2H
B2M018120R国产替代英飞凌IMBG120R022M2H
B2M018120Z国产替代英飞凌AIMZH120R020M1T,AIMZH120R020M1T
B2M065120Z国产替代英飞凌AIMZHN120R060M1T,AIMZH120R060M1T
 
 
基本™B2M第二代碳化硅MOSFET器件主要特色:
• 比导通电阻降低40%左右
• Qg降低了60%左右
• 开关损耗降低了约30%
• 降低Coss参数,更适合软开关
• 降低Crss,及提高Ciss/Crss比值,降低器件在串扰行为下误导通风险
• 最大工作结温175℃• HTRB、 HTGB+、 HTGB-可靠性按结温Tj=175℃通过测试
• 优化栅氧工艺,提高可靠性
• 高可靠性钝化工艺
• 优化终端环设计,降低高温漏电流
• AEC-Q101
更多>本企业其它产品
国产SiC-MOSFET碳化硅功率器件
0相关评论
网站首页  |  关于我们  |  联系方式  |  使用协议  |  版权隐私  |  网站地图  |  排名推广  |  广告服务  |  积分换礼  |  网站留言  |  RSS订阅  |  违规举报  |  鄂ICP备2023001713号